[7a-N201-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

10:00 〜 10:15

[7a-N201-4] スパッタリング援用MOCVDによるEu添加酸化ガリウム結晶成長

〇館林 潤^1,2、田中 卓巳¹、増田 莉子¹、与那覇 海斗¹、大島 拓人¹、井田 聖人¹、藤原 康文^3,4、多根 正和¹ (1.阪大院工、2.阪大QIQB、3.阪大産研、4.立命館大)

キーワード：

希土類添加半導体、酸化ガリウム、ユウロピウム

近年、経済・産業・安全保障を飛躍的に発展させうる量子情報技術に資する波長超安定な量子光源用半導体材料として希土類添加半導体が注目を集めている。今回、新たな添加母体半導体材料として酸化ガリウム（Ga₂O₃）に注目し、我々が独自に開発したスパッタリング援用MOCVD法により赤色蛍光体Euを添加したGa₂O₃を成膜する結晶成長技術を確立するとともにその光学・構造特性評価を行ったのでこれを報告する。