2025年第86回応用物理学会秋季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[7a-N322-1~11]13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

2025年9月7日(日) 9:00 〜 12:00
N322 (共通講義棟北)
9:00 〜 9:15奨励賞エントリー

[7a-N322-1]電子ビーム描画によるダイヤモンドMOSFETの147 nm T型サブミクロンゲート電極の作製

〇(M1)牟田 吉希1、ニロイ チャンドラ　サハ1、江口 正徳2、大石 敏之1、冨木 淳史3、嘉数 誠1,4 (1.佐賀大院理工、2.佐賀大シンクロトロン、3.JAXA宇宙科学研究所、4.（株）ダイヤモンドセミコンダクター)
9:15 〜 9:30

[7a-N322-2]最大発振周波数(fMAX)> 120 GHzダイヤモンドMOSFET

サハ ニロイ　チャンドラ1、江口 正徳2、牟田 吉希1、大石 敏之1、冨木 淳史3、〇嘉数 誠1,4 (1.佐賀大院理工、2.佐賀大シンクロトロン、3.JAXA宇宙科学研究所、4.（株）ダイヤモンドセミコンダクター)
9:30 〜 9:45奨励賞エントリー

[7a-N322-3]SiO2/β-Ga2O3 MOS構造の界面及び膜中欠陥に対する希釈水素熱処理の効果

〇前田 兼成1、小林 拓真1、原 征大1、渡部 平司1 (1.阪大院工)
9:45 〜 10:00

[7a-N322-4]O3を酸化剤に適用した原子層堆積法によるAl2O3/β-Ga2O3 (001)MOS界面準位密度の低減効果

〇田村 敦史1、前川 紘億2、喜多 浩之1,2 (1.東大院新領域、2.東大院工)
10:00 〜 10:15奨励賞エントリー

[7a-N322-5]SiO2/β-Ga2O3 構造への熱処理が界面特性と基板ドナー密度に及ぼす影響

〇森田 拓実1、小林 拓真1、前田 兼成1、原 征大1、渡部 平司1 (1.阪大院工)
10:15 〜 10:30奨励賞エントリー

[7a-N322-6]加熱イオン注入による高濃度Siドープn-Ga2O3のホール測定

〇(M2)八木 虎太郎1、松尾 大輔2、金野 舜2、臼井 洸佑2、安東 靖典3、田中 浩平2、東脇 正高1,4 (1.大阪公立大院工、2.日新イオン機器、3.日新電機、4.情通機構)
10:45 〜 11:00奨励賞エントリー

[7a-N322-7]β-Ga2O3 MPS ダイオードに向けた NiO 膜の酸素分圧制御

〇佐々木 結衣1、奥村 宏典1、Traore Aboulaye2、Jia Yun1、中野 晃汰1、櫻井 岳暁1 (1.筑大数理、2.USPN)
11:00 〜 11:15奨励賞エントリー

[7a-N322-8]量子技術への応用に向けた β-Ga2O3 中炭素-空孔ペアの第一原理計算

〇(B)山田 亮太1、岩本 蒼典1、原 征大1、渡部 平司1、小林 拓真1 (1.阪大工・院工)
11:15 〜 11:30

[7a-N322-9]r-GeO2薄膜の 4H-SiC 基板上への結晶成長

〇矢倉 藤也1,2、清水 悠吏1、工藤 昭吉1、衣斐 豊祐1、松田 慎平1、金子 健太郎1,3 (1.Patentix 株式会社、2.立命館大理工、3.立命館大総研)
11:30 〜 11:45奨励賞エントリー

[7a-N322-10]イオン注入プロセスを用いた
ルチル構造二酸化ゲルマニウム(r-GeO2)の特性評価

〇清水 悠吏1、河野 愛1、衣斐 豊祐1、松田 慎平1、金子 健太郎1,2 (1.Patentix株式会社、2.立命館大学総合科学技術研究機構)
11:45 〜 12:00

[7a-N322-11]r-GeO2バルク結晶の物性評価

〇川西 健太郎1、清水 悠吏1、衣斐 豊祐1、松田 慎平1、金子 健太郎1,2 (1.Patentix株式会社、2.立命館大学総合科学技術研究機構)
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