セッション詳細

[7a-P04-1~10]15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

2025年9月7日(日) 9:30 〜 11:30
P04 (体育館)

[7a-P04-1]SiドープGaAsNの光吸収特性における電子濃度依存性

〇貞國 冬篤1、平沼 光登1、塚崎 貴司2、藤田 実樹3、牧本 俊樹1 (1.早大理工、2.ADCAP、3.一関高専)

[7a-P04-2]AlGaAsNにおけるフォトルミネッセンス発光の成長温度依存性

〇安部 紗和1、南 奈津1、田中 創太1、塚崎 貴司2、藤田 実樹3、牧本 俊樹1 (1.早稲田大学、2.ADCAP、3.一関高専)

[7a-P04-3]高電子移動度および低シート抵抗のためのAl0.25In0.75Sb/InSbヘテロ構造の成長条件最適化

〇町田 龍人1、赤羽 浩一1、原 紳介1、笠松 章史1、渡邊 一世1 (1.情報通信研究機構)

[7a-P04-4]GaSb上2層積層InSb量子ドットのサイズ制御とPL特性

〇鬼頭 大河1、小野田 悠人1、瀬口 侑沙1、牛頭 信一郎2、遠藤 聡1、藤代 博記1 (1.東理大先進工、2.産総研)

[7a-P04-5]マグネトロンスパッタ法によるAlxIn1-xSb薄膜成長

〇有路 結斗1、矢口 裕之1、藤川 紗千恵1 (1.埼玉大院理工)

[7a-P04-6]MBE法によるInSb1-xNx薄膜の成長と特性評価

〇白川 裕暉1、寺前 航介1、矢口 裕之1、藤川 紗千恵1 (1.埼玉大院理工)

[7a-P04-7]スパッタ法で作製したInSb1-xNx薄膜のラマン散乱特性評価

〇寺前 航介1、矢口 裕之1、藤川 紗千恵1 (1.埼玉大院理工)

[7a-P04-8]低温成長GaAs1-xBixの成長モデルに対して異なる成長条件が与える影響

〇阿部 史弥1、荒川 竜芳1、富永 依里子1、峰久 恵輔2、石川 史太郎2 (1.広大大学院先進理工、2.北大量子集積エレクトロニクス研究センター)

[7a-P04-9]低温成長InyGa1-yAs1-xBixの熱処理による表面ドロップレットの形成

〇有吉 亨介1、荒川 竜芳1、富永 依里子1、峰久 恵輔2、石川 史太郎2 (1.広大大学院先進理工、2.北大量子集積エレクトロニクス研究センター)

[7a-P04-10]気孔率の異なるPorous Si(001)基板の作製とPorous形状がGaAs/Porous Si(001)に与える影響

〇大崎 進太郎1、源 龍之介1、鈴木 秀俊1 (1.宮崎大工)