[7a-P04-1~10] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[7a-P04-8] 低温成長GaAs_1-xBi_xの成長モデルに対して異なる成長条件が与える影響

〇阿部 史弥¹、荒川 竜芳¹、富永 依里子¹、峰久 恵輔²、石川 史太郎² (1.広大大学院先進理工、2.北大量子集積エレクトロニクス研究センター)

キーワード：

半導体、分子線エピタキシー、X線回折法