講演情報
[7a-P05-25]SiC上水素インターカレーショングラフェンの水素脱離過程のSTM観察
〇(B)内田 祥汰1、ビシコフスキー アントン2、クトル シュクラン2、碇 智徳1、田中 悟2 (1.宇部高専、2.九大院工)
キーワード：
グラフェン、走査型トンネル顕微鏡
グラフェンバッファー層が成長したSiC基板を局所的に水素インターカレーション(HI)することでグラフェンドットを形成することができる。しかし、この方法ではSTMに移送する前に大気にさらされた結果、表面構造の観察が困難であった。そのため、HIが熱的に可逆であることに注目した。本研究では、グラフェンドット形成のためにGr/H/SiCを高温加熱し水素が脱離する過程をSTM/STSを用いて観察した。