講演情報
[7a-P05-30]HインターカレーションSiC(0001)面上多層グラフェンの仕事関数
〇(M2)久保 麿大1、Seo Insung1、影島 博之1 (1.島根大院自然科学)
キーワード：
グラフェン、仕事関数、SiC
今回は、HインターカレーションによりSiC基板とグラフェンとの界面状態を制御することで、グラフェン/SiCの仕事関数や電子状態が変化する可能性に注目する。Hインターカレーションを考慮した仕事関数の精密な評価は、SiC上グラフェンの物性理解およびデバイス性能の最適化において極めて重要である。そこで本研究では、Hインターカレーションを行い仕事関数や電子状態がどのように変化するのかを目的として研究を行った。プログラムパッケージPHASE/0 を用い、密度汎関数理論を使った第一原理計算を実施した。