講演情報
[7a-P05-60]第一原理計算によるMoS2薄膜における間接・直接遷移の変化機構の研究
〇平井 駿佑1、寺田 伊吹1、鈴木 通人1 (1.大阪公立大工)
キーワード：
二次元材料、遷移金属ダイカルゴゲナイド、第一原理計算
層状物質であるMoS2はバルク体では間接遷移半導体が単層では直接遷移半導体へと遷移構造が変化することが知られており、単層MoS2は高い易動度を持つ直接遷移半導体であることから、電界効果トランジスタへの応用が期待されている。しかし、単層MoS2の物性を十分に発揮するには依然として課題が多い。本研究では応用に向けた物性制御の第一歩として遷移構造変化の発生機構を解明するため、電子軌道の観点から議論する。