講演情報
[7a-P05-67]Cs/O2吸着MoS2表面の光支援熱電子放出と吸着状態の解析
〇(M1)松嶋 力哉1、荻野 明久1 (1.静大院工)
キーワード：
二硫化モリブデン(MoS2)、光支援熱電子放出
二硫化モリブデン(MoS2)は1.2~1.8 eV の可視光領域にあたるバンドギャップを持つことから、光支援熱電子発電器の低温動作と高効率化が期待されている。本研究では、CsとO2を吸着したMoS2/n-Siとn-Siの光支援熱電子放出および熱電子放出を測定し、修正リチャードソンダッシュマンモデル(MRM)により吸着成分の数と脱離の温度依存性を評価し、表面のCs/O2吸着状態の同定を目的とした。