講演情報
[7p-N101-7]SiC半導体信頼性確保のための欠陥エンジニアリング
〇加藤 正史1、原田 俊太2、坂根 仁3 (1.名工大、2.名大、3.住重アテックス)
キーワード：
SiC、半導体、欠陥
シリコンカーバイド(SiC)の結晶は、電気自動車の航続距離向上などを導く半導体素子となる、比較的新しい材料である。ただしSiC結晶は原子の整列がずれた積層欠陥を含み、それが動作中に徐々に拡張して性能が劣化する。我々は高エネルギーイオン注入という技術により点欠陥を導入することで、この拡張が抑制できることを見出した。このような欠陥エンジニアリングによりSiC半導体の信頼性を確保することができる。