講演情報
[7p-N104-4]静電気力顕微鏡と光誘起力顕微鏡の最近の展開
〇菅原 康弘1、李 艶君1 (1.阪大院工)
キーワード：
静電気力分光法、光誘起力顕微鏡
ケルビンプローブ力顕微鏡を用いて半導体試料を測定する場合、接触電位差は、バルクのフェルミ準位の位置だけでなく半導体の表面ポテンシャルにも依存する。ここでは半導体内部の界面状態密度を測定する高周波と低周波の交流バイアス電圧を用いる静電気力分光法について紹介する。また、物質表面に局在する近接場光の強度分布を力として検出し、物質の局所的な光学応答を高い分解能で画像化できる光誘起力顕微鏡について紹介する。