講演情報
[7p-N202-5]デュアルソース式ミスト化学気相成長法によるCu3Nエピタキシャル薄膜の合成
〇庄田 伊吹1、岡 大地1、廣瀬 靖1 (1.都立大院理)
キーワード：
ミスト化学気相成長法、太陽電池、窒化銅
窒化銅はバンドギャップが約1 eVの両極性を示す半導体であり、可視光領域で強い光学吸収を示すことから薄膜太陽電池の光吸収層などへの応用が期待されている。本研究では、大気圧下の溶液プロセスであるミスト化学気相成長(CVD)法において、2種類の溶液を使用したデュアルソース式の構成を用いて500 ℃以上での高温成膜に成功した。