セッション詳細
[7p-N202-1~14]6.4 薄膜新材料
2025年9月7日(日) 13:30 〜 17:15
N202 (共通講義棟北)
[7p-N202-1][分科内招待講演] 第一原理計算を用いた 4H-SiC に発生する基底面転位の拡張機構解明
〇佐野 雅季1、小島 淳2、恩田 正一2、依田 孝3、大場 隆之3、押山 淳2、白石 賢二2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.東京科学大 WOW Alliance)
[7p-N202-2]多元系窒化物エピタキシャル薄膜のコンビナトリアル実験系の構築
〇相馬 拓人1、吉松 公平1、大友 明1 (1.科学大物質理工)
[7p-N202-3]コンビナトリアルエピタキシャル薄膜における化学反応: 多元系窒化物の結晶相・物性のハイスループット探索
〇相馬 拓人1、平出 悠士1、組頭 広志2、吉松 公平1、大友 明1 (1.科学大物質理工、2.東北大多元研)
[7p-N202-4]コンビナトリアルスパッタ法とNH3アニールを駆使したLa-Nb-N三元系窒化物のハイスループット探索
〇(M2)平出 悠士1、相馬 拓人1、組頭 広志2、吉松 公平1、大友 明1 (1.科学大物質理工、2.東北大多元研)
[7p-N202-5]デュアルソース式ミスト化学気相成長法によるCu3Nエピタキシャル薄膜の合成
〇庄田 伊吹1、岡 大地1、廣瀬 靖1 (1.都立大院理)
[7p-N202-6]Phase decomposition of thermoelectric Ba1/3CoO2 films at high temperatures
〇(DC)Kungwan Kang1, Yuqiao Zhang2, Chuchu Yang3, Bin Feng3, Yuichi Ikuhara3, Ahrong Jeong4, Takashi Endo4, Yasutaka Matsuo4, Hiromichi Ohta4 (1.IST-Hokkaido U., 2.Jiangsu U., 3.U. Tokyo., 4.RIES-Hokkaido U)
[7p-N202-7]単相オーリビリウス型鉄酸フッ化ビスマス薄膜の作製
〇上垣外 明子1、重松 圭2、片山 司3、廣瀬 靖4、近松 彰1 (1.お茶大理、2.科学大フロンティア研、3.北大電子研、4.都立大理)
[7p-N202-8]Gd3Ga5O12薄膜における欠陥誘起磁性
〇(M2)名幸 諒研1,2、サーカー シャミム1,2、山原 弘靖1,2、田畑 仁1,2 (1.東大工、2.BAI)
[7p-N202-9]超伝導X線検出器を用いた高エネルギー分解蛍光検出軟X線吸収分光法の試み
〇(B)内藤 康太1、中島 伸夫2、安井 伸太郎3、志岐 成友4 (1.広島大理、2.広島大院先進理工、3.東京科学大ZC研、4.産総研)
[7p-N202-10]VO2スマートウィンドウにおけるバッファ層及び反射防止膜としてのTiO2による光学特性の改善
〇(M1)廣野 太陽1、モハメッド・シュルズ ミヤ1、沖村 邦雄1、中島 智彦2、山口 巖2 (1.東海大院工、2.産業技術総合研究所)
[7p-N202-11]レーザー誘起グラフェンと金属酸化物の複合による高感度・高信頼性なガスセンサの創製
〇桂 章皓1、岡西 音哉1、廣瀬 由紀子1、三浦 悠真1、朱 文亮1、菅原 徹1 (1.京工繊大)
[7p-N202-12]複合成膜により成膜したSiO2光学薄膜の構造
〇馬 ウイシー1、楊 宇航1、森川 康大1、田島 直弥1、松平 学幸2、室谷 裕志1 (1.東海大院工、2.(株)シンクロン)
[7p-N202-13]複合成膜により成膜された低屈折率SiO2光学薄膜(4)
〇森川 康大1、田島 直弥1、松平 学幸2、室谷 裕志1 (1.東海大院工、2.(株)シンクロン)
[7p-N202-14]PEDOT/PSSを用いた電子線シンチレータ表面への導電処理
〇大木 智晴1 (1.大和テクノ)