講演情報
[7p-N202-8]Gd3Ga5O12薄膜における欠陥誘起磁性
〇(M2)名幸 諒研1,2、サーカー シャミム1,2、山原 弘靖1,2、田畑 仁1,2 (1.東大工、2.BAI)
キーワード：
欠陥、酸化物、磁性
Gd3Ga5O12はスピン波材料Y3Fe5O12と格子整合がよい常磁性基板材料である。Gd3Ga5O12の磁性を制御できれば、隣接層の磁気的制御が容易になる。本研究では欠陥誘起磁性の発現を目的としてGd3Ga5O12に対して3％の格子不整合度をもつY3Al5O12を基板に選び、Gd3Ga5O12薄膜をパルスレーザー堆積法により成長した。SQUIDによる磁化測定を行った結果、最大で87emu/cm3の飽和磁化と、飽和磁化の結晶性依存性が見られた。これらの結果はGd3Ga5O12の異常磁性の原因が酸素空孔にあることを示唆している。