2025年第86回応用物理学会秋季学術講演会
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セッション詳細

一般セッション(口頭講演)CS コードシェアセッション：【CS.7】6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェアセッション

[7p-N301-1~17]CS.7 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェアセッション

2025年9月7日(日) 13:00 〜 17:30
N301 (共通講義棟北)
13:00 〜 13:15英語発表

[7p-N301-1]Strain-Driven Solid Phase Epitaxy for Ferroelectricity and Uniformity Enhancement in Hf1-xZrxO2 Thin Films

〇(D)KuanMing Chen1, Ming-Lun Tsai2, Chia-Wei Hsu1, Yuan-Chieh Tseng1 (1.Department of Materials Science and Engineering, National Yang Ming Chiao Tung Univ., Taiwan, 2.Institute of Pioneer Semiconductor Innovation, National Yang Ming Chiao Tung Univ., Taiwan)
13:15 〜 13:30

[7p-N301-2]ZrO2基固溶体薄膜における相形成および分極挙動のサイズ効果

栗林 優太1、伊東 拓馬1、横田 幸恵1、〇内田 寛1 (1.上智大)
13:30 〜 13:45

[7p-N301-3]共添加HfO2系強誘電体Y0.06Nb0.06Hf0.88O2の構造及び安定性評価

〇浅沼 周太郎1、右田 真司1、太田 裕之1、森田 行則1、畑山 祥吾1 (1.産総研　SFRC)
13:45 〜 14:00奨励賞エントリー

[7p-N301-4]RFマグネトロンスパッタリング法を用いたSi直上でのY添加HfO2薄膜の配向性及び強誘電性の制御

〇近藤 真矢1,2、小野 友慈2、澤木 陽向1、村井 俊哉3、高 磊3、岡本 一輝4、舟窪 浩4、寺西 貴志2、岸本 昭2、山田 智明1,5 (1.名大、2.岡山大、3.産総研、4.科学大、5.科学大MDX)
14:00 〜 14:15奨励賞エントリー

[7p-N301-5]配向制御した(100)配向希土類元素ドープエピタキシャルHfO2薄膜の合成と評価

〇(M2)土屋 裕太郎1、胡 雨弦1、岡本 一輝1、山岡 和希子2、加賀谷 康永2、井上 ゆか梨2、舟窪 浩1 (1.東京科学大学、2.TDK株式会社)
14:15 〜 14:30奨励賞エントリー

[7p-N301-6]電圧サイクリングに伴うAl:HfO2薄膜の化学結合状態の変化

〇三船 智哉1、谷村 英昭1,2、植野 雄守2、谷 勇佑2、藤沢 浩訓1、中嶋 誠二1、大坂 藍1、高木 康多3、保井 晃3、唐 佳藝3、加藤 慎一2、三河 巧2 (1.兵庫県大工、2.SCREEN、3.JASRI)
14:30 〜 14:45

[7p-N301-7]マルチショット・フラッシュランプアニールによるAl:HfO2 薄膜の分極特性向上

〇谷 勇佑1、植野 雄守1、谷村 英昭1、三船 智哉2、藤沢 浩訓2、中嶋 誠二2、大坂 藍2、加藤 慎一1、三河 巧1 (1.SCREEN セミコンダクターソリューションズ、2.兵庫県立大学)
14:45 〜 15:00

[7p-N301-8]HfO2系強誘電体キャパシタの書き換え耐久性の電界依存

〇糸矢 祐喜1、更屋 拓哉1、平本 俊郎1、小林 正治1,2 (1.東大生研、2.東大d.lab)
15:15 〜 15:30奨励賞エントリー

[7p-N301-9]極薄膜強誘電体Hf0.5Zr0.5O2におけるwake-up物理機構モデルのシミュレーション検証

〇伊藤 広恭1、竹中 充1、高木 信一1,2、トープラサートポン カシディット1 (1.東大院工、2.帝京大先端総研)
15:30 〜 15:45奨励賞エントリー

[7p-N301-10]HfO₂系強誘電体MFMキャパシタにおける分極特性制御が物理リザバー計算性能に及ぼす影響

〇井上 颯太1、請関 優1、藤村 紀文1、Kasidit Toprasertpong2、高木 信一2、吉村 武1 (1.阪公大工、2.東大工)
15:45 〜 16:00奨励賞エントリー

[7p-N301-11]強誘電体ゲートFETにおける分極特性が物理リザバー計算性能に及ぼす影響

〇請関 優1、井上 颯太1、藤村 紀文1、横松 得滋2、神田 健介2、前中 一介2、Toprasertpong Kasidit3、高木 信一3、吉村 武1 (1.阪公大工、2.兵庫県大工、3.東大工)
16:00 〜 16:15奨励賞エントリー英語発表

[7p-N301-12]Investigation of Degradation in FeFETs Using Quasi-Static Split C–V Techniques: Significant Trap Generation under Cycling Stress

〇Xuanhedong Gao1, Zuocheng Cai1, Zhenghong Liu1, Zhao Jin1, Xueyang Han1, Yan-kui Liang1, Yutong Chen1, Eishin Nako1, Shin-Yi Min1, Mitsuru Takenaka1, Shinichi Takagi1, Kasidit Toprasertpong1 (1.The Univ.of Tokyo)
16:15 〜 16:30英語発表

[7p-N301-13]Imprint Behaviors of Hf0.5Zr0.5O2 Ferroelectric Capacitors: Charge/Trap-site Dynamics during Write and Wake-up Cycles

〇(D)Zhenhong Liu1, Zuocheng Cai1, Mitsuru Takenaka1, Shinichi Takagi2, Kasidit Toprasertpong1 (1.Univ. Tokyo, 2.Teikyo Univ.)
16:30 〜 16:45英語発表

[7p-N301-14]Cycling induced imprint phenomenon at intermediate state used for multi-level operation in HfO2-FeFET

〇Viktoria Schlykow1, Kunifumi Suzuki1, Yoko Yoshimura1, Hidesato Ishida1, Kiwamu Sakuma1, Kazuhiro Matsuo1, Masumi Saitoh1, Reika Ichihara1 (1.Kioxia Corporation)
16:45 〜 17:00

[7p-N301-15]強誘電体薄膜分極特性のシミュレーション
―分極履歴特性と2次元格子ﾓﾃﾞﾙでの不活性ｻｲﾄの影響―

〇奥山 雅則1 (1.阪大R3)
17:00 〜 17:15

[7p-N301-16]Landau-Khalatnikov方程式におけるρの意味について

〇鳥海 明1、右田 真司2 (1.自由業、2.産総研)
17:15 〜 17:30

[7p-N301-17]強誘電体HfxZr1-xO2におけるC-V特性の掃引速度依存性の観察

〇松川 浩之1、竹中 充1、高木 信一1、トープラサートポン カシディット1 (1.東大院工)
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