講演情報
[7p-N302-12]モリブデン酸アンモニウムを原料とするCVD法で作製した多層2H-MoTe2の単結晶成長
〇海老沢 朋也1、伊東 海晴1、大野 太久斗1、星 裕介1 (1.東京都市大学)
キーワード：
半導体、二次元材料
CVD法により多層2H-MoTe2の成長を行い、Te源温度を280～700℃で変化させてフラックスの影響を調査した。510℃と710℃において、基板表面に結晶が観測された。ラマン分光測定より510℃で六角形結晶の2H相、700℃でランダム構造の1T'相が成長されていることが分かった。次に、結晶性を調べるためフォトルミネッセンススペクトルを測定した結果、2H相の良好な結晶性と層数が確認された。