セッション詳細
[7p-N302-1~19]17.3 層状物質
2025年9月7日(日) 13:30 〜 18:30
N302 (共通講義棟北)
[7p-N302-1]結晶粒界を介したサファイア基板上の単層MoS2の自己配列単結晶化
〇佐久間 芳樹1、廣戸 孝信1、奈良 純1、大竹 晃浩1、小野 佑樹2、松本 貴士2 (1.NIMS、2.東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ(株))
[7p-N302-2]MOCVD法によるc面サファイア基板上MoS2単層膜の自己停止成長
〇佐久間 芳樹1、廣戸 孝信1、奈良 純1、小野 佑樹2、松本 貴士2 (1.NIMS、2.東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ(株))
[7p-N302-3]硫黄プラズマを活用した反応性スパッタによる硫化物の低温成膜
〇鈴木 一誓1、茂田井 大輝1、野上 大一1、小俣 孝久1 (1.東北大学)
[7p-N302-4]W スパッタ膜の硫化による WS2超薄膜の作製
〇高木 颯1、和田 悠佑1、大橋 史隆1,2、ジャ ヒマンシュ1,2、久米 徹二1,2 (1.岐阜大院自、2.岐阜大工)
[7p-N302-5]H2S中アニールによるPVD-WS2薄膜の膜質改善
〇伊東 壮真1、松永 尚樹1、寺岡 楓1、Jang Jaehyo1、布施 太翔1、野澤 俊輔1、宗田 伊理也1、星井 拓也1、角嶋 邦之1、若林 整1 (1.科学大工)
[7p-N302-6]硫黄液に浸したMo薄膜の真空加熱により作製したMoS2膜の評価
〇(M1C)井上 和志1、木村 優斗1、八木 遂行1、中根 晃紀1、八田 英嗣1、末岡 和久1、Subagyo Agus1 (1.北大院情)
[7p-N302-7]MBEによるサファイア基板上Ni(111)薄膜上B薄膜成長
〇石井 尚1、小豆畑 敬1、中澤 日出樹1、廣木 正伸2、平間 一行2、小林 康之1 (1.弘前大学、2.NTT物性科学基礎研)
[7p-N302-8]Ge薄膜/Si基板上のh-BNナノシートのCVD成長
〇(M1)塚田 快1、渡辺 健太郎1,2 (1.信州大学、2.信州大学IFES)
[7p-N302-9]高エネルギーイオン照射法による窒化炭化ホウ素の作製
〇圓谷 志郎1、滝沢 優2、好田 誠3,1 (1.量研、2.立命館大、3.東北大)
[7p-N302-10]MoS2膜上のスパッタAlシード層挿入Al2O3膜のバンドギャップ向上
〇田賀 充1、野澤 俊輔1、星井 拓也1、角嶋 邦之1、若林 整1 (1.東京科学大学)
[7p-N302-11]準安定層状半導体SiTe2の薄膜合成及び電気的特性評価
〇外池 巧樹1、畑山 祥吾2、金 美賢1、齊藤 雄太3,2,1 (1.東北大工、2.産総研SFRC、3.東北大GXT)
[7p-N302-12]モリブデン酸アンモニウムを原料とするCVD法で作製した多層2H-MoTe2の単結晶成長
〇海老沢 朋也1、伊東 海晴1、大野 太久斗1、星 裕介1 (1.東京都市大学)
[7p-N302-13]GaAs(001)微傾斜基板を用いたステップ端からのGaSe層状化合物エピタキシャル成長
〇黒川 透矢1、小島 信晃1 (1.豊田工大)
[7p-N302-14]c-Al2O3基板上への金薄膜成長
〇金 明玉1、岡田 至崇1 (1.東大先端研)
[7p-N302-15]RFマグネトロンスパッタリングと(i-C3H7)2TeアニールによるMoTe2薄膜の相制御
〇東 奏太1、石川 太一1、横田 浩1、横川 凌2,3,4、町田 英明5、石川 真人5、須藤 弘5、小椋 厚志1,2 (1.明治大理工、2.明大MREL、3.広島大RISE、4.広島大院先進理工、5.気相成長株式会社)
[7p-N302-16]水素化による偏析ゲルマネンの構造変化
〇鈴木 誠也1、小澤 孝拓2、植田 寛和1、福谷 克之1,2 (1.原子力機構、2.東大生研)
[7p-N302-17]グラフェン/SiC(0001)上のWSe2およびMoS2における歪み導入
〇榊原 涼太郎1,2、平田 海斗3,4、高橋 康史4、乗松 航5、宮田 耕充1,2 (1.物材機構、2.都立大、3.名工大、4.名大、5.早大)
[7p-N302-18]金テープ法とPDMSスタンプ法を組み合わせた転写プロセスの検討
〇(M2)小久保 大地1、青栁 上1、中山 紫稀1、茂木 裕幸1、嵐田 雄介1、吉田 昭二1、武内 修1、重川 秀実1 (1.筑波大数理)
[7p-N302-19]結晶方位分解層間摩擦力顕微鏡
〇瀬尾 優太1、Barri Nima2、Kumral Boran2、渡邊 賢司3、谷口 尚3、Filleter Tobin2、町田 友樹1 (1.東大生研、2.トロント大、3.NIMS)