[7p-N302-1~19] 17.3 層状物質

16:45 〜 17:00奨励賞エントリー

[7p-N302-13] GaAs(001)微傾斜基板を用いたステップ端からのGaSe層状化合物エピタキシャル成長

〇黒川 透矢¹、小島 信晃¹ (1.豊田工大)

キーワード：

層状化合物、GaSe