講演情報
[7p-N302-2]MOCVD法によるc面サファイア基板上MoS2単層膜の自己停止成長
〇佐久間 芳樹1、廣戸 孝信1、奈良 純1、小野 佑樹2、松本 貴士2 (1.NIMS、2.東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ(株）)
キーワード：
MoS2、MOCVD、自己停止
MoO2Cl2とH2Sをプリカーサに使ったMOCVD方式によるc面サファイア上のMoS2成膜では、単層付近で膜厚が自己停止する。しかし、長時間成膜したサンプルのAFM観察では局所的な2層目アイランド形成が確認され、その抑制が課題であった。成膜条件の最適化を図り、結晶粒界を減らすことで2層目アイランドの形成が抑制されることがわかった。これらをもとに、MoO2Cl2プリカーサを使った成膜の自己停止機構と結晶粒界の関係について議論する。