講演情報
[7p-N304-10]フローティングゲート型有機アンチ・アンバイポーラトランジスタ を用いた多値ロジックインメモリの開発
〇木島 大河1,2、早川 竜馬1,2、片山 健二2、若山 裕1 (1.物材機構、2.中央大)
キーワード：
ロジックインメモリ、フローティングゲート型アンチアンバイポーラトランジスタ、有機半導体
本講演では、アンチ・アンバイポーラトランジスタ (AAT)と呼ばれる特殊な有機トランジスタを用いて3値論理回路と不揮発性メモリ機能を一体化した多値LIM素子を実証したので報告する。AATは半導体層にPN接合を有し、室温でVGの増加に伴い、IDが増加から減少に転じるNDTを示す。不揮発性メモリ層にAu-FG、トンネル絶縁膜にHfO2を用いることで駆動電圧に対し大きなシフト量の3値LIMを実現した。