[7p-N304-1~16] 12.4 有機EL・トランジスタ

17:00 〜 17:15

[7p-N304-13] SiO₂表面のプラズマ窒化処理による有機MOSのホール侵入長の向上

〇織山 剛¹、冨士谷 大生¹、岩崎 好孝¹、上野 智雄¹ (1.農工大工)

キーワード：

有機半導体