[7p-N304-1~16] 12.4 有機EL・トランジスタ

16:00 〜 16:15奨励賞エントリー

[7p-N304-9] 表面修飾した金電極を転写した単分子層有機単結晶トランジスタ

〇守本 蒼生¹、山下 侑^1,2、牧田 龍幸⁴、佐藤 香代子⁴、小林 祐貴⁴、渡邉 峻一郎¹、竹谷 純一^1,2,3,4 (1.東大院新領域、2.物材機構、3.JST CREST、4.パイクリスタル)

キーワード：

有機トランジスタ、接触抵抗

単結晶有機半導体は高移動度・柔軟性・軽量性を兼ね備え、フレキシブルOFETへの応用が期待されている。本研究では、構造乱れの少ない金属–半導体界面を形成する電極転写法とリソグラフィを統合し、C9-DNBDT-NW薄膜上にPFBT処理したAu電極を転写する手法を開発した。得られたOFETは67 Ω⋅cmの低接触抵抗と75 MHzの高カットオフ周波数を示し、高速・高集積な有機デバイスへの応用可能性を示した。