講演情報
[7p-N305-13]フレキシブルニューロン記録デバイスに向けたSi薄膜のParylene集積化技術
〇松下 剛芽1、近藤 悠輝1、山下 幸司1、沼野 利佳1、鯉田 孝和1、河野 剛士1 (1.豊橋技術科学大学)
キーワード：
Si薄膜、バッファアンプ、ニューロン記録
脳神経科学やBMI応用に向け、脳内ニューロン活動を高精度に計測する低侵襲電極デバイスが求められている。私たちはVLS法で低侵襲マイクロプローブを作製し、電極の高インピーダンスに対しバッファアンプを実装してきた。従来はSi基板の剛性により脳組織への損傷が課題だったため、本研究ではSi製アンプの薄膜化とParyleneフィルム基板への集積を試みた。SOI基板からTop-Si層をエッチング・剥離し、Parylene上に集積可能であることを確認した。