[7p-N403-1~9] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

15:30 〜 15:45

[7p-N403-8] Jonkerプロットを使用した複合アニオン層状化合物ワイドギャップ半導体 LaCu1-dChO (Ch = S, Se)の熱電性能評価

〇神原 陽一¹ (1.慶大物情)

キーワード：

透明半導体、複合アニオン層状化合物、Jonker プロット

複合アニオン層状化合物半導体LaCuChO (Ch = S, Se)はおよそ 3 eV の光学禁制帯を示す絶縁体である。LaCuChO (Ch = S, Se)は1 at.%程度の銅欠陥により生じる正孔ドープにより、そのp型のキャリアの極性が生じる。LaCuChO (Ch = S, Se)の熱電変換性能について、Jonker plot に即して報告する。