2025年第86回応用物理学会秋季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.2 探索的材料物性・基礎物性

[7p-N403-1~9]13.2 探索的材料物性・基礎物性

2025年9月7日(日) 13:30 〜 16:00
N403 (共通講義棟北)
末益 崇(筑波大)、 原 康祐(奈良先端大)
赤外受光応用、薄膜成長、その他物性
13:30 〜 13:45

[7p-N403-1][第58回講演奨励賞受賞記念講演] 赤外受光応用へ向けたMg3Sb2の光学特性評価

〇切通 望1、鮎川 瞭仁1、根城 虹希1、栗山 武琉1、山本 若葉2、安原 聡2、佐藤 康平2、鵜殿 治彦1、坂根 駿也1 (1.茨城大、2.日本電子)
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13:45 〜 14:00

[7p-N403-2]微細加工プロセスを活用した裏面入射型Mg2Si-pn接合PDセンサの作製

〇武井 日出人1、飯野 有紀1、山口 広暉1、坂根 駿也1、鵜殿 治彦1 (1.茨城大)
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14:00 〜 14:15

[7p-N403-3]n型Mg2Si基板上に作製したTPV セルの熱拡散条件による出力特性への影響の評価

〇清水 匠1、島野 航輔1、勝俣 響1、坂根 駿也1、鵜殿 治彦1 (1.茨城大工)
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14:15 〜 14:30奨励賞エントリー

[7p-N403-4]Mg2Si-pn接合ダイオードの少数キャリア寿命の温度依存性の調査

〇勝俣 響1、古田 良輔1、坂根 駿也1、鵜殿 治彦1 (1.茨城大)
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14:30 〜 14:45

[7p-N403-5]サファイア基板上へのMg2Si薄膜のエピタキシャル成長

〇坂根 駿也1、古田 良輔1、栗山 武琉1、鮎川 瞭仁1、鵜殿 治彦1 (1.茨大院理工)
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14:45 〜 15:00

[7p-N403-6]Mg2Si 薄膜の成膜および熱処理を含む3種形成プロセスの比較評価

〇外山 涼雅1、勝俣 裕1 (1.明大理工)
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15:15 〜 15:30奨励賞エントリー

[7p-N403-7]ミストCVD法によるδ-Ga2O3薄膜成長と熱的安定性

〇(M1)齋藤 蒼生1、島添 和樹2、西中 浩之1 (1.京工繊大、2.名工大)
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15:30 〜 15:45

[7p-N403-8]Jonkerプロットを使用した複合アニオン層状化合物ワイドギャップ半導体 LaCu1-dChO (Ch = S, Se)の熱電性能評価

〇神原 陽一1 (1.慶大物情)
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15:45 〜 16:00奨励賞エントリー

[7p-N403-9]COSMO-RS 物性値を用いた機械学習による溶媒物性予測

〇川浪 樹1、横山 尋斗1、熊田 亜紀子1、佐藤 正寛1 (1.東京大工)
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