講演情報
[7p-P03-35]キラルな分子を用いたスピントロニクスデバイスにおける磁気抵抗効果
〇阿部 雅史1、松坂 美月1、鹿嶋 倖太郎1、海住 英生1,2 (1.慶大理工、2.慶大スピンセンター)
キーワード：
分子スピントロニクスデバイス、キラル分子、キラル誘起スピン選択性 (CISS)
本研究ではNi/R(S)-2,2-diphenyl-3,3-(4-biphenanthrol) (VAPOL)/Auデバイスの作製および構造・電気磁気特性の評価を目的とした．Ni/R(S)-VAPOL/Auデバイスの作製にはDCマグネトロンスパッタ法とスピンコート法を用い，ガラス基板上にNi，R(S)-VAPOL，Auを成膜することでデバイスを作製した．デバイスの構造評価には原子間力顕微鏡，電気磁気特性評価には磁場中直流4端子法を用いた．その結果，作製したデバイスにおいて磁気抵抗効果の観測に成功した．詳細な実験結果については講演会当日に報告する．