講演情報
[7p-P04-1]蒸着形成した着色ジアリールエテンの表面電位の膜厚依存性
〇辻岡 強1、川島 弘之2、小池 健仁2、小野 洋平2、沈 君偉3、中村 振一郎3 (1.大阪教育大学、2.東ソー（株）、3.熊本大学)
キーワード：
巨大表面電位、真空蒸着、ジアリールエテン
開環（消色）状態においてガラス転移点（Tg）が低くGSPを示さないフォトクロミック・ジアリールエテン（DAE）について、より高いTgを示す着色（閉環）状態での蒸着によるGSP発現性について検討した結果、膜厚40nmで −500 mV/nmと非常に大きな値を示し膜厚が増すにつれてその値は低下した。一方、絶縁性の大きなDAEでは、このような傾向は見られず一定値であった。