講演情報
[7p-P08-9]P(VDF-TrFE-CFE)薄膜コンデンサーの誘電率変調メカニズム
〇沖田 裕介1、河野 真也1、日高 芳樹1、合志 憲一1、木口 拓也2、疋田 育之2、石田 謙司1 (1.九大院工、2.(株)デンソー)
キーワード：
P(VDF-TrFE-CFE)、薄膜、誘電率
可変容量コンデンサーは制御電圧により容量値を変調できる素子であり、スマートフォンなど共振周波数調整に用いられる。次世代に向けた要求仕様として変調率に加えて軽量性、耐圧性、耐振動性、固体素子化等が求められている。本研究では、P(VDF-TrFE-CFE)薄膜の制御電圧印加による誘電率変調の挙動、電流電圧特性と周波数依存性について詳細調査し、誘電率変調のメカニズムについて考察した結果について報告する。