セッション詳細
[7p-S103-1~11]原子層プロセス(ALP:Atomic Layer Process)の解析技術と応用技術(2)
2025年9月7日(日) 13:30 〜 17:15
S103 (共通講義棟南)
百瀬 健(熊本大)、 唐橋 一浩(阪大)、 霜垣 幸浩(東大)
午前と同様に、原子層成長(ALD)・エッチング(ALE)に関する最先端のプロセスサイエンスを取り上げ、選択性制御、その場観察、原子レベルシミュレーションに関する先進的な研究成果や将来展望について議論します。午後の部では、3件の招待講演(分光エリプソメトリーによるその場観察、ALEにおけるエンドポイント検出、クラスタービームによる表面改質のALP応用)を含みます。
[7p-S103-1]自己組織化単分子膜上での原子層堆積による金属酸化物ナノ構造設計
〇(D)小野 赳1、細見 拓郎1、斉藤 光2、正井 宏3、池内 みどり2、劉 江洋1、田中 航1、高橋 綱己1、寺尾 潤3、柳田 剛1,2 (1.東大院工、2.九大先導研、3.東大院総合文化)
[7p-S103-2]新規Sn原料を用いたMOALD-SnO2膜の評価
〇(M1)安藤 昌輝1、大下 祥雄2、沼田 敏典2、Lee Hyunju4、町田 英明3、小椋 厚志1,4 (1.明治大学理工学、2.豊田工業大学、3.気相成長株式会社、4.MREL)
[7p-S103-6]その場観測 エンドポイント検出法を用いたGaN MISHEMTでのサブナノ精度のエッチングプロセス制御
〇冨田 勇人1、Kolja Haberland1、Macello Binetti1、Daniel Cornwell1、Christian Loerchner-Gerdaus1、Thomas Zettler1 (1.LayTec AG)
[7p-S103-8]窒化チタンの熱サイクル原子層エッチング(Thermal-Cyclic ALE)における塩化プロセスのIn-Situ表面反応解析によるメカニズム解明
〇(M2)平井 俊也1、篠田 和典2、グエン ティ トゥイ ガー1、井上 健一1、堤 隆嘉1、石川 健治1 (1.名大、2.日立ハイテク)
[7p-S103-10]表面条件を変化させた際のルテニウムALDに関する研究
〇奥川 昭悟1、ラーマン ガギ タウヒドゥル2、横川 凌1,2、雨宮 嘉照2、寺本 章伸1,2,3 (1.広大先進理工、2.広大 RISE、3.広大 HiSOR)
[7p-S103-11]Development of Pd Pretreatment for Fabricating Ultrathin Continuous ALD-Co Films
〇(P)Yubin DENG1, Jun Yamaguchi1, Yuhei Otaka1, Souga Nagai1, Noboru Sato1, Naoki Tamaoki1, Atsuhiro Tsukune1, Yukihiro Shimogaki1 (1.The Univ. of Tokyo)