講演情報
[7p-S103-4]原子層堆積（ALD）法による表面量子ドットの被覆
モハンマディ ハニフ1、ロカ ロネル1、岩田 直高1、〇神谷 格1 (1.豊田工業大学)
キーワード：
半導体、量子ドット、パッシベーション
GaAs(001)上にMBEで成長したInAs量子ドットを大気暴露すると通常は汚染や表面準位により電子特性が著しく劣化する。しかし、その様な量子ドットをALDで金属酸化物薄膜で被覆すると、適切な酸化物とその原料の選択により、量子ドットからのPL発光強度を増大させることに成功した。さらにその際、酸化物をアモルファス状に成膜することにより、GaAs被覆で課題となっている大きなPLピークの短波長化を、強度増大と同時に実現することに成功した。