講演情報

[7p-S203-14]グラフェン/SiC(0001)界面における二次元酸化鉄の形成

〇榊原 涼太郎1,2、寺澤 知潮3,4、河内 泰三4、福谷 克之3,4、伊藤 孝寛5、乗松 航6 (1.物材機構、2.都立大、3.原子力機構、4.東大、5.名大、6.早大)

キーワード:

インターカレーション、透過電子顕微鏡、SiC

SiC(0001)表面に形成されるバッファー層に他元素をインターカレートすることで、バッファー層はグラフェン化し、同時に他元素がグラフェン/SiC 界面で二次元的に配列する。本研究では、このインターカレーション法を活用した、グラフェン/SiC界面における二次元酸化鉄の形成を報告する。具体的には、原子分解能の電子顕微鏡観察を駆使した界面の二次元酸化鉄の構造評価や、Mössbauer分光測定により見出された磁気相転移について議論する。