セッション詳細
[7p-S203-14~17]17.2 グラフェン
2025年9月7日(日) 16:45 〜 17:45
S203 (共通講義棟南)
[7p-S203-14]グラフェン/SiC(0001)界面における二次元酸化鉄の形成
〇榊原 涼太郎1,2、寺澤 知潮3,4、河内 泰三4、福谷 克之3,4、伊藤 孝寛5、乗松 航6 (1.物材機構、2.都立大、3.原子力機構、4.東大、5.名大、6.早大)
[7p-S203-15]グラフェン成長中のステップバンチングに対するバッファー層の影響
〇佐藤 京樹1、前川 拓滋1、奥 良彰1、中原 健1、乗松 航2 (1.ローム株式会社、2.早大理工)
[7p-S203-16]ポリマーアシストSiC熱分解グラフェン成長における基板オフ角の影響
〇(M2)仁科 匠人1、乗松 航1 (1.早大理工)
[7p-S203-17]リアルタイム観察とベイズ最適化を活用したグラフェンのCVD成長
〇小川 友以1、若林 勇希1、大塚 琢馬2、谷保 芳孝1 (1.NTT 物性研、2.NTT CS研)