講演情報
[8a-N107-2]真空蒸着法で成膜したTlBr多結晶膜のアニールの評価
〇(D)豊田 耕平1,2、都木 克之2,3、加瀬 裕貴3、青木 徹1,2,3 (1.静岡大院光医工、2.ANSeeN、3.静岡大電子研)
キーワード：
臭化タリウム、真空蒸着、多結晶膜
臭化タリウム (TlBr) は2.68eVのバンドギャップを持つ半導体材料である。TlBrはX線・γ線に対して高い吸収効率を示し、半導体検出器に適した材料として期待されている。TlBrは真空雰囲気にて抵抗加熱で比較的低温で揮発させることができ、真空蒸着による大面積検出器の製造に適す可能性がある。本研究は、真空蒸着で成膜した多結晶TlBr膜に対し、成膜後のアニールを行い、処理前後の特性変化を比較しアニールの有効性を評価する。