[8a-N107-1~7] 2.1 放射線物理・材料開発・材料特性評価

11:30 〜 11:45

[8a-N107-6] 耐高温中性子検出器に向けたAlGaN層上のBGaN層を用いたデバイスの初期検討

〇及川 徹¹、工藤 涼兵¹、斎藤 僚太¹、小久保 瑛斗²、若林 源一郎³、岸下 徹一⁴、櫻井 良憲⁵、八島 浩⁵、牧野 高紘⁶、大島 武⁶、本田 善央⁷、天野 浩⁷、井上 翼¹、青木 徹⁸、中野 貴之^1,8 (1.静大院工、2.名大院工、3.近大原研、4.高エネ研、5.京大複合研、6.量研、7.名大 IMaSS、8.静大電研)

キーワード：

BGaN、MOCVD、中性子検出器