2025年第86回応用物理学会秋季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)6 薄膜・表面：6.1 強誘電体薄膜

[8a-N201-1~10]6.1 強誘電体薄膜

2025年9月8日(月) 9:00 〜 11:30
N201 (共通講義棟北)
9:00 〜 9:15

[8a-N201-1]高濃度Scを含むScxAl1-xNのエピタキシャル成長

〇清水 荘雄1、大橋 直樹1,2 (1.NIMS、2.科学大MDXセ)
9:15 〜 9:30奨励賞エントリー

[8a-N201-2]AlScシード層によるAlScN薄膜の強誘電分極方向制御

〇(DC)鬼村 和志1、呉 研1,2、小林 宏之2、角嶋 邦之1,2 (1.科学大工、2.科学大住化協研拠点)
9:30 〜 9:45奨励賞エントリー

[8a-N201-3]高速co-PLD法で作製したSc添加AlN薄膜の成長におけるシード層導入効果と特性への影響

〇(M2)三高 大陽1、Yuan Xueyou1、近藤 真矢1、山田 智明1,2 (1.名大工、2.東京科学大MDX)
9:45 〜 10:00奨励賞エントリー

[8a-N201-4]PLD法を用いたYAlN薄膜作製の検討

〇(M2)橋本 收平1、高木 亮佑1、岩崎 光志1、藤谷 海斗1、堀田 育志1 (1.兵庫県立大工)
10:00 〜 10:15奨励賞エントリー

[8a-N201-5](Al,Sc)N強誘電体薄膜のスイッチング特性に及ぼす面内配向及び格子歪みによる効果

〇河野 駿平1、岡本 一輝1、影山 壮太郎1、孫 納納1、安岡 慎之介1、舟窪 浩1 (1.東京科学大学)
10:15 〜 10:30

[8a-N201-6]Si基板上（Ce,Mn）共置換ZnO薄膜における応力と電気的特性の評価

〇大磯 裕也1、阪口 萌生1、藤村 紀文1、吉村 武1 (1.阪公大院工)
10:30 〜 10:45英語発表

[8a-N201-7]Effect of Ce doping on ferroelectric ZnO thin films: First principles calculation

〇SangHyo Kweon1, Atsuhiro Tamai1, Hideaki Adachi1, Hiroki Moriwake2, Ayako Taguchi2, Isaku Kanno1 (1.Kobe University, 2.JFCC)
10:45 〜 11:00奨励賞エントリー

[8a-N201-8]積層Zn(Ce,Mn)O強誘電体薄膜

〇玉井 敦大1、吉野 雄大1、野村 和希1、何 京瑋1、Kwoen Sang Hyo1、足立 秀明1、神野 伊策1 (1.神戸大工)
11:00 〜 11:15奨励賞エントリー

[8a-N201-9]Si直上Al0.7Sc0.3N薄膜の抵抗変化特性の解析

〇安岡 功樹1、青木 悠佑1、山田 洋人1、藤村 紀文1、吉村 武1 (1.阪公大工)
11:15 〜 11:30奨励賞エントリー

[8a-N201-10]スパッタ法のガス比によるAlN薄膜の極性制御と二次モード分極反転共振子の作製

〇花井 彩香1,2、柳谷 隆彦1,2 (1.早大先進理工、2.材研)
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