セッション詳細
[8a-N201-1~10]6.1 強誘電体薄膜
2025年9月8日(月) 9:00 〜 11:30
N201 (共通講義棟北)
平永 良臣(東北大)
[8a-N201-2]AlScシード層によるAlScN薄膜の強誘電分極方向制御
〇(DC)鬼村 和志1、呉 研1,2、小林 宏之2、角嶋 邦之1,2 (1.科学大工、2.科学大住化協研拠点)
[8a-N201-3]高速co-PLD法で作製したSc添加AlN薄膜の成長におけるシード層導入効果と特性への影響
〇(M2)三高 大陽1、Yuan Xueyou1、近藤 真矢1、山田 智明1,2 (1.名大工、2.東京科学大MDX)
[8a-N201-5](Al,Sc)N強誘電体薄膜のスイッチング特性に及ぼす面内配向及び格子歪みによる効果
〇河野 駿平1、岡本 一輝1、影山 壮太郎1、孫 納納1、安岡 慎之介1、舟窪 浩1 (1.東京科学大学)
[8a-N201-7]Effect of Ce doping on ferroelectric ZnO thin films: First principles calculation
〇SangHyo Kweon1, Atsuhiro Tamai1, Hideaki Adachi1, Hiroki Moriwake2, Ayako Taguchi2, Isaku Kanno1 (1.Kobe University, 2.JFCC)
[8a-N201-8]積層Zn(Ce,Mn)O強誘電体薄膜
〇玉井 敦大1、吉野 雄大1、野村 和希1、何 京瑋1、Kwoen Sang Hyo1、足立 秀明1、神野 伊策1 (1.神戸大工)