講演情報
[8a-N206-11]時間分解走査型非線形誘電率顕微鏡によるSiO2/SiCの温度制御局所CV特性測定
〇山末 耕平1、長 康雄2 (1.東北大通研、2.東北大NICHe)
キーワード：
半導体、走査型非線形誘電率顕微鏡、SNDM
ワイドバンドギャップ半導体における深い界面欠陥準位の評価のため，時間分解走査型非線形誘電率顕微鏡（SNDM）を用いた高温環境下での局所CV特性測定を実現した．同手法を熱酸化SiO2/SiCウェハに適用し，室温から523 Kの範囲での測定を行った．その結果，特に空乏状態における局所CV特性のゆらぎが顕著な温度依存性を示さず，深い欠陥準位に起因することが示唆された．