講演情報
[8a-N206-2]光支援走査型非線形誘電率顕微鏡による機械剥離WSe2の局所CV特性測定
〇(M1)井坂 晃大1,2、横田 信英3、山末 耕平2 (1.東北大院工、2.東北大通研、3.静大電工)
キーワード：
走査型非線形誘電率顕微鏡、走査型プローブ顕微鏡、半導体
走査型非線形誘電率顕微鏡（SNDM）は，半導体材料中の多数キャリア分布や界面欠陥密度分布をナノスケール観察できる．本研究では，光応答特性や深いエネルギー準位を持つ界面欠陥の可視化を目的に，光照射機能を備えた光支援SNDMを開発し，代表的な原子層半導体であるWSe2の局所CV特性を光照射下で測定した．その結果，WSe2に特有の両極性挙動が確認され，光照射により静電容量の変化量が非照射時に比較して約1桁増大することが確認された．