講演情報
[8a-N301-11]AlGaN系UV-Bレーザーダイオードにおける信頼性評価
〇(M1)神谷 始音1、齋藤 巧夢1、三宅 倫太郎1、丸山 竣大1、佐々木 祐輔1、狩野 祥吾1、加藤 晴也1、橘田 直樹1、渡辺 崚太1、宮本 侑茉1、岩山 章1、三宅 秀人2、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1 (1.名城大学、2.三重大・院・工)
キーワード：
半導体レーザー
本研究では、AlGaN系UV-Bレーザーダイオードに大電流を印加し、素子破壊に至る挙動とその破壊モードを解析した。端面コーティングを施していない素子を用い、パルス駆動下で順次電流を増加させて評価を行った。破壊モードは主に2種類に分類され、65％の素子はダイオード特性を保持しつつ発振が停止した。SEM観察の結果、これらの素子には活性層の亀裂を伴うCODによる端面破壊が確認された。信頼性向上には、CODの抑制が重要であると示された。