講演情報
[8a-N301-2]深紫外LEDに向けた高反射ITO/Al電極のITO膜厚依存性
〇高瀬 健太1、浜島 直紀1、岡 龍乃介1、三浦 聖央1、竹久 哲平1、武藤 響己1、藤田 麻里奈1、竹内 哲也1、上山 智1、岩谷 素顕1、石黒 永考1、斎藤 義樹2、奥野 浩司2 (1.名城大理工、2.豊田合成株式会社)
キーワード：
深紫外LED、ITO/Al、膜厚依存性
深紫外LEDの電力変換効率は10 ％程度である 。電力変換効率改善には、光取り出し効率の改善が必要であり、p電極の反射率を高める構造が求められる。当研究室では反射率30 %(＠λ=270 nm)のNi/Au電極を用いた場合、電力変換効率が2.6 %程度である為、ITO/Al電極を用いた高反射電極の研究を行っている。ITO/Al電極ではITO膜厚の薄膜化による光出力増加と電圧上昇のトレードオフの関係が課題であり、最適なI TO膜厚に関する検討はほとんど行われていない。そこで、本研究ではITO/Al電極での高効率化を目的とし、ITO膜厚の異なるLEDデバイスを作製し、反射率測定、I-V-L測定を行い、比較した。