講演情報
[8a-N301-9]AlGaN系UV LDにおけるPL半値幅に対する成長温度の影響
〇(M2)齋藤 巧夢1、三宅 倫太郎1、丸山 竣大1、佐々木 祐輔1、狩野 祥吾1、加藤 晴也1、橘田 直樹1、渡辺 崚太1、宮本 侑茉1、神谷 始音1、岩山 章1、三宅 秀人2、寒川 義裕3、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1 (1.名城大理工、2.三重大院工、3.九州大応力)
キーワード：
窒化物、紫外レーザ、有機金属気相成長法
高品質なAlGaN結晶の作製には1000℃以上の高温MOVPE成長が有効とされるが、分極ドーピングを用いたUV-LEDやLDでは急峻なヘテロ界面形成のため低温成長が有効とされ、デバイス特性の向上が報告されている。本報告では、活性層の成長温度に着目し、成長温度を変化させた試料のPL半値幅（FWHM）を比較した。低温成長によりFWHMが約40％減少し、組成揺らぎや界面急峻性の影響が示唆された。