講演情報
[8a-N302-4]導電性AFMを利用した単層WSe2の点欠陥識別
〇澤井 悠太1,2、遠藤 尚彦1、榊原 涼太郎1,2、宮田 耕充1,2 (1.物材研、2.東京都立大学)
キーワード：
CAFM、TMD、欠陥
遷移金属ダイカルコゲナイド(TMD)は、二次元構造と優れた電子輸送特性により次世代半導体材料として注目されている。その物性の理解と応用に向け、欠陥の同定・定量・制御は重要な課題である。近年、点欠陥の簡便な評価手法として導電性原子間力顕微鏡(CAFM)が報告されてきた。しかし、CAFM像に現れる欠陥がTMDと基板どちらに由来するかの区別は十分にされていない。本研究ではグラファイト上単層WSe2のCAFM観察を行い、欠陥の識別に取り組んだ。