講演情報
[8a-N302-8]低コンタクト抵抗MoS2トランジスタの実現のためのアモルファスTiS2電極の結晶化挙動
〇佐々木 俊哉1、金 美賢1、Fons Paul2、齊藤 雄太1,3 (1.東北大院工、2.慶應大理工、3.東北大GXT)
キーワード：
遷移金属カルコゲナイド、コンタクト、結晶化
Siの微細化の限界が近づいているため、チャネルをMoS2に代表される遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)で代替する研究が盛んに行われている。しかし、MoS2と電極の間のコンタクト抵抗が依然高い。低コンタクト抵抗化のために同じTMDCのTiS2電極が注目されているが、成膜ままではアモルファス相である。本発表は、アモルファスTiS2をMoS2上に成膜した際の結晶化挙動について報告する。