[8a-N321-1~9] 6.2 カーボン系薄膜

11:45 〜 12:00

[8a-N321-9] マグネトロンスパッタ法による炭化ホウ素薄膜を用いた太陽電池の特性

〇秋元 壱畝利¹、林 優佑¹、伊東 翔太¹、鈴木 裕史¹、遠田 義晴¹、小林 康之¹、中澤 日出樹¹ (1.弘前大院工)

キーワード：

炭化ホウ素、マグネトロンスパッタ、太陽電池

RFマグネトロンスパッタによりn型Si(100)基板上に基板温度を変化させてアモルファス炭化ホウ素(B_xC)薄膜を成膜し、基板温度がB_xC薄膜の電気的特性および光学的特性に及ぼす影響を調べた。B_xC/n型Siヘテロ接合の光照射下の電流電圧特性を測定した結果、基板温度100 ℃で作製したB_xC/n-Siヘテロ接合において、最も高い短絡電流密度、開放電圧および変換効率が得られた。