講演情報
[8a-N324-4]ミニマルファブにおけるウェハ面内ばらつき要因の分析 2
〇本郷 仁啓1、野田 周一1、三浦 典子1、池田 伸一1、原 史朗1,2 (1.産総研、2.Hundred Semiconductors)
キーワード：
ミニマルファブ、歩留
これまでに、ミニマルファブで作製したデバイスを測定した結果から、ウェハ中心に比べて外側ではトランジスタのドレイン電流が低下する傾向が見られていた。これまでにドレイン電流の動径方向の変動量には酸化膜厚の変動量が大きく影響していたことを示し、酸化時のウェハの温度分布が生じていることを解析からわかってきた。今回はウェハの温度分布を生じさせる酸化時の炉における加熱について解析・考察を進め、温度分布の要因追及とその改善策を考察する。