セッション詳細

[8a-N324-1~11]13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

2025年9月8日(月) 9:00 〜 12:00
N324 (共通講義棟北)

[8a-N324-1]ミニマル反応性スパッタ装置によるTiO2膜の形成

〇野田 周一1、薮田 勇気2、山本 直子2、亀井 龍一郎2、三浦 典子1、池田 伸一1、原 史朗1,3 (1.産総研、2.誠南工業、3.Hundred Semiconductors)

[8a-N324-2]ミニマルファブを用いたAI ハードウェア向け2 層Al 多層配線の開発とコンタクト抵抗評価

〇角 博文1、島本 直伸1、落合 幸徳1、最上 徹1、三田 吉郎1、池田 誠1 (1.東京大学大学院システムデザイン研究センター)

[8a-N324-3]ミニマルファブを用いたSOI-CMOSデバイスの素子分離技術の開発

〇小粥 敬成1、関藤 竜平1、田中 宏幸2、三浦 典子2、原 史朗1,2 (1.Hundred、2.産総研)

[8a-N324-4]ミニマルファブにおけるウェハ面内ばらつき要因の分析 2

〇本郷 仁啓1、野田 周一1、三浦 典子1、池田 伸一1、原 史朗1,2 (1.産総研、2.Hundred Semiconductors)

[8a-N324-5]ミニマルファブシステムを用いたTSV作製とI/V特性評価

〇高野 拓郎1、関藤 竜平2、居村 史人2、田中 宏幸3、三浦 典子3、原 史朗3、青西 亨4、赤井 一郎5、寺澤 靖雄1、橋新 剛5 (1.株)ニデック、2.株)Hundred Semiconductors、3.産総研、4.東京大学、5.熊本大学)

[8a-N324-6]ミニマルファブを用いたウェハ薄化の研究

〇田中 宏幸1、徳永 博司2、野沢 善幸3、速水 利泰3、杉山 広4、三浦 典子1、池田 伸一1、原 史朗1,4 (1.産総研、2.MTC、3.SPPテクノロジーズ、4.Hundred Semiconductors)

[8a-N324-7]ミニマルファブにおけるCMOSデバイスの微細化プロセスの開発手法

〇三浦 典子1、小粥 敬成2、池田 伸一1、原 史朗1,2 (1.産総研、2.Hundred Semiconductors)

[8a-N324-8]ミニマルファブにおける新材料の開発戦略

〇三浦 典子1、根本 一正1、野田 周一1、池田 伸一1、原 史朗1,2 (1.産総研、2.Hundred Semiconductors)

[8a-N324-9]FusionCore テクノロジーによる電子回路チップの超省エネ化

〇原 史朗1,2、三浦 典子1、池田 伸一1、居村 史人2 (1.産総研、2.(株)Hundred Semiconductors)

[8a-N324-10]チップレット技術の多品種少量ニーズへの適用:FusionCore技術の開発

〇居村 史人1、杉山 広1、三浦 典子2、池田 伸一2、原 史朗1,2 (1.Hundred Semiconductors、2.産総研)

[8a-N324-11]ウェハドロップレット洗浄技術におけるプロセス室内の湿度と圧力の制御

〇根本 一正1、三浦 典子1、池田 伸一1、原 史朗1,2 (1.産総研、2.(株)Hundred Semiconductors)