講演情報
[8a-N401-8]パルスレーザーを用いた溶融・非平衡凝固による高Sn組成Ge1−xSnₓ混晶製膜プロセスの構築
〇(M1)鈴木 祐介1、勝部 涼司1、今井 友貴1、鈴木 紹太2、南山 偉明2、ダムリン マルワン2,3、柴山 茂久1、中塚 理1,4、宇佐美 徳隆1,4,5 (1.名大院工、2.東洋アルミ、3.阪大院工、4.名大未来研、5.名大未来機構)
キーワード：
GeSn、パルスレーザーアニール、非平衡凝固
高Sn組成を有するGe1−x Snx混晶は、IV族半導体でありながら直接遷移型のバンド構造を有し、高い実効キャリア移動度を示す光学的・電気的にも魅力的な半導体材料である。直接遷移の発現には~ 8 mol%以上のSn組成が必要であるが、これは平衡固溶限（~1 mol%）よりも高いため、非平衡を実現するプロセスが必要である。我々は、非真空下における非平衡熱処理法であるパルスレーザーアニール（PLA）を応用し、Snペースト塗布Ge基板のPLAによるGeSn混晶形成に取り組んできた 。本研究では、パルスレーザー照射条件とPLA中の抜熱に着目し、高Sn組成Ge1−x Snx混晶連続膜を作製することを目的とした。