[8a-N401-1~12] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶 | 2025年第86回応用物理学会秋季学術講演会

詳細検索

セッション詳細

一般セッション(口頭講演)15 結晶工学：15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[8a-N401-1~12]15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

2025年9月8日(月) 9:30 〜 12:30

N401 (共通講義棟北)

9:30 〜 9:45

[8a-N401-1]SiSn，GeSn，SiGe混晶半導体の形成エネルギーに関する第一原理計算(I)
- 独立な原子配置を網羅した安定構造の探索 -

〇末岡浩治¹、別宮響²、野田祐輔³ (1.岡山県立大情報工、2.岡山県立大院情報系工、3.九工大院情報工)

9:45 〜 10:00

[8a-N401-2]SiSn，GeSn，SiGe 混晶半導体の形成エネルギーに関する第一原理計算(II)
- 遺伝的アルゴリズムを用いた安定構造探索 -

〇別宮響¹、末岡浩治²、野田祐輔³ (1.岡山県大院情報系工、2.岡山県大情報工、3.九工大院情報工)

10:00 〜 10:15

[8a-N401-3]内殻軌道電子励起・原子移動によるGe,Siの結晶核形成

〇松尾直人¹、部家彰¹、住友弘二¹、山名一成¹、田部井哲夫² (1.兵庫県立大院、2.広島大半導体研)

10:15 〜 10:30

[8a-N401-4]室温下でのGe/Si(111)基板上GeH薄膜の高速形成

〇中嶋海都¹、中山敦稀¹、Wen Wei-Chen²、山本裕司²、柴山茂久¹、坂下満男¹、中塚理^1,3、洗平昌晃^1,3、黒澤昌志¹ (1.名大院工、2.IHP - Leibniz Institute for High Performance Microelectronics、3.名大未来研)

10:30 〜 10:45英語発表

[8a-N401-5]Effect of Al and Al₂O₃ layers on the selective area growth of GeS thin films

〇Qinqiang Zhang¹, Ryo Matsumura¹, Naoki Fukata^1,2 (1.NIMS, 2.Univ. of Tsukuba)

10:45 〜 11:00

[8a-N401-6]高配向Geワイヤ成長における触媒(Au)の水素プラズマ処理温度の影響

〇植松実生¹、小林信一¹ (1.東京工芸大学)

11:00 〜 11:15

[8a-N401-7]発光波長制御のための高速CWLA成長Ge薄膜へのSi添加

〇後藤雄太^1,2、松村亮¹、深田直樹^1,2 (1.物質・材料研究機構、2.筑波大)

11:15 〜 11:30奨励賞エントリー

[8a-N401-8]パルスレーザーを用いた溶融・非平衡凝固による高Sn組成Ge₁₋_xSnₓ混晶製膜プロセスの構築

〇(M1)鈴木祐介¹、勝部涼司¹、今井友貴¹、鈴木紹太²、南山偉明²、ダムリンマルワン^2,3、柴山茂久¹、中塚理^1,4、宇佐美徳隆^1,4,5 (1.名大院工、2.東洋アルミ、3.阪大院工、4.名大未来研、5.名大未来機構)

11:30 〜 11:45

[8a-N401-9]多結晶Mg₂SiGeSn 薄膜の合成と熱電性能評価

〇(M1)中島丈範¹、石山隆光¹、前田真太郎¹、末益崇¹、都甲薫¹ (1.筑波大院)

11:45 〜 12:00

[8a-N401-10]高抵抗Si(001)基板上におけるPドープSi薄膜の固相成長

〇木村優希¹、柴山茂久¹、坂下満男¹、黒川康良^1,2、宇佐美徳隆^1,2,3、中塚理^1,3、黒澤昌志¹ (1.名大院工、2.名大未来機構、3.名大未来研)

12:00 〜 12:15

[8a-N401-11]スクリーン印刷を用いた大面積SiGe/Si基板の開発

〇中尾凌¹、鈴木紹太¹、松原萌子¹、南山偉明¹、ダムリンマルワン² (1.東洋アルミ、2.阪大)

12:15 〜 12:30

[8a-N401-12]MgO/SiO₂薄膜上における非晶質Ge薄膜の固相結晶化

〇(B)光永尚人¹、江﨑遥紀¹、山田晴己¹、淵脇悠史¹、高倉健一郎¹、佐道泰造²、角田功¹ (1.熊本高等専門学校、2.九州大学)

カテゴリ一覧へ戻る