2025年第86回応用物理学会秋季学術講演会

2025年第86回応用物理学会秋季学術講演会

セッション詳細

一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[8a-N403-1~10]13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

2025年9月8日(月) 9:00 〜 11:45

N403 (共通講義棟北)

森伸也(阪大)、蓮沼隆(筑波大)

9:00 〜 9:15奨励賞エントリー

[8a-N403-1]ウェットプロセスで形成した Si トレンチ構造底部の表面状態の観測

〇村瀬詩花¹、東知樹¹、稲垣耕司¹、有馬健太¹ (1.阪大院工)

9:15 〜 9:30

[8a-N403-2]硫酸を用いたSiO₂/Si 構造の作製の検討

〇鬼塚翔平、原田星輝、岩崎好孝、上野智雄

9:30 〜 9:45

[8a-N403-3]半導体基板上に形成した極薄酸化膜における膜厚の新解析法
－X線光電子分光法と数値解析の融合によるアプローチ－

〇高野宏樹¹、稲垣耕司¹、有馬健太¹、宮川彰平²、竹田拓馬²、尾辻正幸²、澤田康一² (1.阪大院工、2.株式会社SCREENホールディングス)

9:45 〜 10:00英語発表

[8a-N403-4]Influence of annealing ambient on the ferroelectric characteristics of HfN thin films formed by ECR-plasma sputtering

〇(D)KANGBAI LI¹, Shun-ichiro Ohmi¹ (1.Science Tokyo)

10:00 〜 10:15

[8a-N403-5]極薄Siチップの抗折強度評価手法の検討

〇野村一城¹、山下祐馬¹、阿部慶樹¹、大橋健一¹、川城史義¹、野田貴三¹ (1.東芝デバイス＆ストレージ株式会社)

10:30 〜 10:45英語発表

[8a-N403-6]Influence of the Up-Conversion Effect on the Photocatalytic Activity of NaLuF₄:Yb:Ho@NaLuF₄:Yb:Nd@TiO₂ Core–Shell Structures under Visible Light Irradiation

〇(PC)Joanna Nadolna^1,2, Routian Chen^1,3, Pawel Mazierski², Zhishun Wei⁴, Tomasz Grzyb⁵, Patrycja Szwedowska², Prajakta Kokate¹, Keshav Dani¹ (1.Okinawa Inst. of Sci. and Tech. Grad. Univ., 2.Univ. of Gdansk, 3.Dalian Inst. of Chem. Phys., 4.Hubei Univ. of Tech., 5.Adam Mickiewicz Univ.)

10:45 〜 11:00

[8a-N403-7]機械学習力場MDを用いたa-(SiO₂)_x(Al₂O₃)_1-x/GaN界面の欠陥状態解析

〇佐藤昂輝¹、上沼睦典²、陣内亮典¹、旭良司¹ (1.名大工、2.産総研)

11:00 〜 11:15奨励賞エントリー

[8a-N403-8]変分オートエンコーダを用いた不純物分布生成の高精度化による半導体ナノワイヤ中の電子伝導特性の設計（に関する研究）

〇杉山聖¹、伊藤佳卓¹、須子統太²、村口正和¹ (1.北科大工、2.早大)

11:15 〜 11:30

[8a-N403-9]SiCショットキーバリアダイオードにおけるトラップアシストトンネル電流の理論解析

〇小川諒¹、田中一^1,2、森伸也¹ (1.阪大院工、2.関学大工)

11:30 〜 11:45

[8a-N403-10]3C/4H-SiCヘテロ構造のデバイス特性に対する影響のTCAD解析

〇(M1)下條滉太¹、畠山哲夫¹、長澤弘幸^2,3 (1.富山県立大、2.CUSIC、3.東北通研)

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