講演情報
[8a-N403-10]3C/4H-SiCヘテロ構造のデバイス特性に対する影響のTCAD解析
〇(M1)下條 滉太1、畠山 哲夫1、長澤 弘幸2,3 (1.富山県立大、2.CUSIC、3.東北通研)
キーワード：
3C-SiC/4H-SiCヘテロ構造、自発分極、空乏層
本研究では、SLE法により形成された3C/4H-SiCヘテロ構造をTCADに実装し、MOS構造のC–V特性を解析した。n型構造では界面の自発分極により空乏層が形成され、容量低下を引き起こすことが明らかとなり、デバイス設計上の課題が示された。