講演情報
[8a-N403-3]半導体基板上に形成した極薄酸化膜における膜厚の新解析法
－X線光電子分光法と数値解析の融合によるアプローチ－
〇高野 宏樹1、稲垣 耕司1、有馬 健太1、宮川 彰平2、竹田 拓馬2、尾辻 正幸2、澤田 康一2 (1.阪大院工、2.株式会社SCREENホールディングス)
キーワード：
極薄酸化膜、半導体、X線光電子分光法
先進的な電子デバイスでは、半導体基板上に形成した機能性薄膜の膜厚の違いが物性や機能に影響するため、膜厚を正確に把握したい。X線光電子分光法（XPS）は有力な手法だが、解析には複数の物理定数が必要である。本研究では、XPS測定結果を独自の数値解析と組み合わせ、より少ない種類の物理定数で膜厚を推定する新たな手法を提案する。定数が既知の系に対し、それらを未知と仮定して手法を適用し、 妥当性を検証した。