[8a-N404-1~11] 11.1 基礎物性

9:00 〜 9:15

[8a-N404-1] SmFeAsO多結晶バルク体に対する新規H/F置換手法の開発

〇冨岡 隼也¹、櫻井 謙真¹、霜山 郁弥³、畑野 敬史¹、山本 明保³、生田 博志^1,2 (1.名大工、2.名大RCCME、3.東京農工大工)

キーワード：

鉄系超伝導体

LnFeAsO (Ln = Nd, Sm) はOサイトの一部をHもしくはFで置換することで鉄系超伝導体の中でも最高のT_c = 56 Kを示す。しかしながら、原料のH/F化合物の反応性が高く、LnOFやFeAs などの不純物が容易に形成されてしまう。一方、薄膜においてはLnFeAsO単相薄膜を成長後、CaH₂と共に熱処理することで、トポタクティック反応によってLnFeAs(O,H)薄膜を得ることができる。そこでこの手法をバルク体に適用することで、SmFeAs(O,H/F)バルク体を作製することを目指して実験を実施した。